内插和去插Li~+的电色WO_3膜和器件的光、电特性
文献类型：学位论文
| 作者 | 孙瑜 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1999-07-14 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所国家传感器重点实验室 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所国家传感器重点实验室 |
| 导师 | 申功烈 |
| 关键词 | 反射型电色器件 模型可变电阻存储器 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 中文摘要 | 利用三氧化钨的变色原理和电阻变化特性我们制备了基于三氧化钨的光开关和电开关器件，即反射型电色器件和模拟可变电阻存储器，传统器件采用H~+为工作离子而缩短了器件的寿命，我们采用H~+做工作离子，探讨了这种替代的可能性。反射型电色器件全部采用了无机材料Glass/ITO/WO_3+Li/MgF_2/NiO/Al。在光波长为633.3nm时反射调制率为30％，响应时间约25秒。模拟可变电阻存储器主要用于人工智能及神经网络中，用于控制神经元间的通信，我们分别制备了基于Na~+和Li~+的附件。基于Li~+的附件基有较好的性能，电阻的变化范围有3－4个数量及响应时间10分左右，它的优点在于可动态控制通道电阻的变化范围。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 48 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/8927]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙瑜. 内插和去插Li~+的电色WO_3膜和器件的光、电特性[D]. 中国科学院电子学研究所国家传感器重点实验室. 中国科学院电子学研究所国家传感器重点实验室. 1999. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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