MCP性能改进的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 韦亚一 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1992 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所 |
| 导师 | 陶兆民 |
| 关键词 | 微通道板（MCP） Monte Carlo方法 次级电子 电子云饱和区 次级电子发射层 MCP放气 增益下降 MCP长径比 MCP倾斜角 高增益MCP |
| 学位专业 | 电子物理与器件 |
| 中文摘要 | 本论文共由八章构成，对MCP的理论和工艺作了较为深入的探讨。各章内容相对独立，都是针对生产实际中提出的问题予以解决。第一章序言；第二章应用Monte Carlo方法对MCP中次级电子激发和倍增的过程进行了模拟计算，获取了许多实验无法直接测得的量；第三章从理论上分析了MCP中电子云饱和区形成的原因及电子云饱和区各电学量之间的关系；第四章应用微观分析设备（XPS，AES，EP）对MCP通道内壁次级电子发射层结构进行了研究，得到了MCP发射层元素浓度随深度的分布，由此对MCP的结构有了新的准确的了解；第五章、第六章对生产实际中，电子轰击时MCP大量放气及增益大幅度下降的问题进行了探讨，分析其原因，提出了解决办法；第七章从理论上给出了MCP的最佳长径比和倾斜角，提出不同料方制作的MCP应该选择合适的长径比和倾斜角，才能使其增益得到充分发挥；第八章基于目前国内工艺提出了一种高增益MCP的设计思路。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 47 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/9397]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦亚一. MCP性能改进的研究[D]. 中国科学院电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 1992. |
入库方式： OAI收割
来源：电子学研究所
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