常关型GaN HEMT器件制备研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 黄宇亮 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2016-05-30 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王军喜 |
| 关键词 | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 常关型 选区二次外延 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 微电子学 |
| 公开日期 | 2016-06-06 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27199]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄宇亮. 常关型GaN HEMT器件制备研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2016. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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