一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 李密锋 ; 喻颖 ; 贺继方 ; 査国伟 ; 尚向军 ; 倪海桥 ; 贺振宏 ; 牛智川 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 专利申请号 | CN201310088301.X |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27210]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李密锋,喻颖,贺继方,等. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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