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一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法

文献类型:专利

作者姚兵兵 ; 刘力源 ; 刘剑 ; 吴南健
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题半导体物理
公开日期2016-08-30
申请日期2014-12-29
专利申请号CN201410837054.3
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27226]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
姚兵兵,刘力源,刘剑,等. 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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