一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法
文献类型:专利
作者 | 姚兵兵 ; 刘力源 ; 刘剑 ; 吴南健 |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体物理 |
公开日期 | 2016-08-30 |
申请日期 | 2014-12-29 |
专利申请号 | CN201410837054.3 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27226] |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚兵兵,刘力源,刘剑,等. 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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