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多标准性能可重构式I/Q正交载波发生器

文献类型:专利

作者刘晓东 ; 吴南健 ; 王海永 ; 楼文峰 ; 陈晶晶 ; 张钊
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题半导体物理
公开日期2016-09-02
申请日期2014-06-24
专利申请号CN201410287623.1
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27360]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘晓东,吴南健,王海永,等. 多标准性能可重构式I/Q正交载波发生器.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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