在衬底上制备多级台阶的方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨健 ; 司朝伟 ; 韩国威 ; 宁瑾 ; 赵永梅 ; 梁秀琴 ; 王晓东 ; 杨富华 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 申请日期 | 2014-12-02 |
| 专利申请号 | CN201410720797.2 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27232]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨健,司朝伟,韩国威,等. 在衬底上制备多级台阶的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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