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激光器降噪设备及采用该设备降噪的方法

文献类型:专利

作者谭俊 ; 陈伟 ; 王孙龙 ; 刘建国 ; 祝宁华
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题光电子学
公开日期2016-09-22
申请日期2015-06-24
专利申请号CN201510354771.5
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27536]  
专题半导体研究所_固态光电信息技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谭俊,陈伟,王孙龙,等. 激光器降噪设备及采用该设备降噪的方法.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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