多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 侯继达 ; 熊聪 ; 刘素平 ; 马骁宇 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 申请日期 | 2015-12-30 |
| 专利申请号 | CN201511024496.7 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27377]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯继达,熊聪,刘素平,等. 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。