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冷却小通道热沉

文献类型:专利

作者井红旗 ; 仲莉 ; 倪羽茜 ; 张俊杰 ; 刘素平 ; 马骁宇
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题半导体器件
公开日期2016-09-12
申请日期2015-08-25
专利申请号CN201510526353.X
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27440]  
专题半导体研究所_光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
井红旗,仲莉,倪羽茜,等. 冷却小通道热沉.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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