一种高功率密度半导体激光器热沉
文献类型：专利
| 作者 | 仲莉 ; 张俊杰 ; 罗泓 ; 井红旗 ; 祁琼 ; 刘素平 ; 马骁宇 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-09-28 |
| 申请日期 | 2015-02-12 |
| 专利申请号 | CN201510075853.6 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27588]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仲莉,张俊杰,罗泓,等. 一种高功率密度半导体激光器热沉. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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