InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
文献类型：专利
| 作者 | 杨静 ; 赵德刚 ; 乐伶聪 ; 李晓静 ; 何晓光 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 申请日期 | 2014-10-29 |
| 专利申请号 | CN201410592387.4 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27294]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,乐伶聪,等. InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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