硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨涛 ; 杜文娜 ; 杨晓光 ; 王小耶 ; 季祥海 ; 王占国 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 申请日期 | 2014-12-17 |
| 专利申请号 | CN201410785433.2 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27449]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨涛,杜文娜,杨晓光,等. 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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