中国科学院机构知识库网格系统: 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法

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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法

文献类型：专利


作者	项若飞 ; 汪连山 ; 赵桂娟 ; 金东东 ; 王建霞 ; 李辉杰 ; 张恒 ; 冯玉霞 ; 焦春美 ; 魏鸿源 ; 杨少延 ; 王占国
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体材料
公开日期	2016-09-12
申请日期	2014-04-14
专利申请号	CN201410147977.6
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27401]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	项若飞,汪连山,赵桂娟,等. 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法.

入库方式： OAI收割

来源：半导体研究所

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