SiC基HEMT器件的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 申占伟 ; 张峰 ; 赵万顺 ; 王雷 ; 闫果果 ; 刘兴昉 ; 孙国胜 ; 曾一平 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-09-22 |
| 申请日期 | 2015-07-15 |
| 专利申请号 | CN201510416658.5 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27497]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申占伟,张峰,赵万顺,等. SiC基HEMT器件的制备方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。