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采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法

文献类型:专利

作者卢树弟 ; 曲胜春 ; 刘孔 ; 池丹 ; 李彦沛 ; 寇艳蕾 ; 岳世忠 ; 王占国
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题半导体材料
公开日期2016-09-22
申请日期2015-05-25
专利申请号CN201510270129.9
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27475]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
卢树弟,曲胜春,刘孔,等. 采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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