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CAS IR Grid
半导体研究所
中国科学院半导体研究所
中科院半导体材料科学重点实验室
用于碳化硅生长的高温装置及方法
文献类型:专利
作者
刘兴昉
;
刘斌
;
闫果果
;
刘胜北
;
田丽欣
;
申占伟
;
王雷
;
赵万顺
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
专利国别
中国
专利类型
发明
权利人
中国科学院半导体所
学科主题
半导体材料
公开日期
2016-09-28
申请日期
2015-01-08
专利申请号
CN201510008972.X
源URL
[
http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27619
]
专题
半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴昉,刘斌,闫果果,等. 用于碳化硅生长的高温装置及方法.
入库方式:
OAI收割
来源:
半导体研究所
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