一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构
文献类型：专利
| 作者 | 王晓亮 ; 李巍 ; 肖红领 ; 冯春 ; 姜丽娟 ; 殷海波 ; 王翠梅 ; 李百泉 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-09-29 |
| 申请日期 | 2015-01-06 |
| 专利申请号 | CN201510003953.8 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27631]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,李巍,肖红领,等. 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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