一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘胜北 ; 何志 ; 刘斌 ; 杨香 ; 刘兴昉 ; 张峰 ; 王雷 ; 田丽欣 ; 刘敏 ; 申占伟 ; 赵万顺 ; 樊中朝 ; 王晓峰 ; 王晓东 ; 赵永梅 ; 杨富华 ; 孙国胜 ; 曾一平 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-09-29 |
| 申请日期 | 2015-01-04 |
| 专利申请号 | CN201510002211.3 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27634]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘胜北,何志,刘斌,等. 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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