转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法
文献类型：专利
| 作者 | 纪攀峰 ; 谢海忠 ; 郭恩卿 ; 马平 ; 张韵 ; 王军喜 ; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 申请日期 | 2014-12-24 |
| 专利申请号 | CN201410816561.9 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27265]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪攀峰,谢海忠,郭恩卿,等. 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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