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电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法

文献类型:专利

作者詹腾 ; 马骏 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 李晋闽
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体所
学科主题半导体器件
公开日期2016-08-30
申请日期2014-12-24
专利申请号CN201410817479.8
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27272]  
专题半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
詹腾,马骏,刘志强,等. 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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