电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 詹腾 ; 马骏 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 李晋闽 |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体所 |
学科主题 | 半导体器件 |
公开日期 | 2016-08-30 |
申请日期 | 2014-12-24 |
专利申请号 | CN201410817479.8 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27272] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹腾,马骏,刘志强,等. 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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