一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法
文献类型：专利
| 作者 | 安平博 ; 张硕 ; 赵丽霞 ; 段瑞飞 ; 路红喜 ; 王军喜 ; 李晋闽 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 申请日期 | 2014-11-18 |
| 专利申请号 | CN201410658716.0 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27463]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安平博,张硕,赵丽霞,等. 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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