中国科学院机构知识库网格系统: 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法

中国科学院机构知识库网格

Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid

在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法

文献类型：专利


作者	孔庆峰 ; 马平 ; 纪攀峰 ; 卢鹏志 ; 杨华 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 王国宏 ; 曾一平 ; 李晋闽
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体所
学科主题	半导体器件
公开日期	2016-09-02
申请日期	2014-07-16
专利申请号	CN201410337635.0
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27349]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	孔庆峰,马平,纪攀峰,等. 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法.

入库方式： OAI收割

来源：半导体研究所

浏览0

下载0

收藏0

其他版本

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。