Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, Ke-Fan ; Shao, Hezhu ; Liu, Kong ; Qu, Shengchun ; Wang, Yuanxu ; Wang, Zhanguo |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 107期号:11页码:- |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 公开日期 | 2016-09-18 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/12353]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_2015专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Ke-Fan,Shao, Hezhu,Liu, Kong,et al. Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,107(11):-. |
| APA | Wang, Ke-Fan,Shao, Hezhu,Liu, Kong,Qu, Shengchun,Wang, Yuanxu,&Wang, Zhanguo.(2015).Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon.APPLIED PHYSICS LETTERS,107(11),-. |
| MLA | Wang, Ke-Fan,et al."Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon".APPLIED PHYSICS LETTERS 107.11(2015):-. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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