半导体量子阱中传播效应对子带间拉比振荡的影响
文献类型:期刊论文
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作者 | 周旭升 ; 崔妮 ; 祖继锋 ; 龚尚庆 |
刊名 | Chin. Opt. Lett.
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出版日期 | 2008 |
卷号 | 6期号:9页码:689 |
关键词 | 半导体量子阱 Carrier density 传播效应 Electron interactions 子带间拉比振荡 Inter subband 粒子数布居饭转 Modulation-doped Multiple quantum wells Non-linearities Population inversions Propagation effects Quantum wells Rabi flopping |
ISSN号 | 1671-7694 |
其他题名 | Impact of propagation effects on intersubband Rabi flopping in semiconductor quantum wells |
中文摘要 | 通过求解麦克斯韦-布洛赫方程组,分别在存在传播效应和无传播效应两种情况下,研究了调制掺杂的半导体量子阱中子带间的拉比振荡。研究发现,与电子-电子之间的相互作用的非线性相比较,传播效应对拉比振荡的影响更大;在不考虑传播效应时,脉冲可以使量子阱中的电子实现一次完整的布居反转,但是当传播效应存在情况下,完全的粒子数反转已不能实现。另外,研究还发现通过改变载流子的密度可以改变传播效应所产生的影响。; We investigate intersubband Rabi flopping in modulation-doped semiconductor quantum wells with and without the propagation effects. respectively. It is shown that propagation effects have a larger impact oil Rabi flopping than the nonlinearities rooted from electron-electron interactions in multiple quantum wells. By using ultrashort pi pulses, an almost complete population inversion exists if the propagation effects are not considered; while no complete population inversion occurs in the presence of propagation effects. Furthermore. the magnitude of the impact of propagation effects may be controlled by varying the carrier density. |
收录类别 | EI |
资助信息 | National Natural Sciences Foundation of China [60708008] |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2009-09-18 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/3226] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_高功率激光物理国家实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周旭升,崔妮,祖继锋,等. 半导体量子阱中传播效应对子带间拉比振荡的影响, Impact of propagation effects on intersubband Rabi flopping in semiconductor quantum wells[J]. Chin. Opt. Lett.,2008,6(9):689, 692. |
APA | 周旭升,崔妮,祖继锋,&龚尚庆.(2008).半导体量子阱中传播效应对子带间拉比振荡的影响.Chin. Opt. Lett.,6(9),689. |
MLA | 周旭升,et al."半导体量子阱中传播效应对子带间拉比振荡的影响".Chin. Opt. Lett. 6.9(2008):689. |
入库方式: OAI收割
来源:上海光学精密机械研究所
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