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Towards intrinsic phonon transport in single-layer MoS2

文献类型:期刊论文

作者Peng, Bo ; Zhang, Hao ; Shao, Hezhu ; Xu, Yuanfeng ; Zhang, Xiangchao ; Zhu, Heyuan
刊名ANNALEN DER PHYSIK
出版日期2016
卷号528期号:6页码:504-511
ISSN号0003-3804
公开日期2016-09-18
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/12964]  
专题宁波材料技术与工程研究所_2016专题
推荐引用方式
GB/T 7714
Peng, Bo,Zhang, Hao,Shao, Hezhu,et al. Towards intrinsic phonon transport in single-layer MoS2[J]. ANNALEN DER PHYSIK,2016,528(6):504-511.
APA Peng, Bo,Zhang, Hao,Shao, Hezhu,Xu, Yuanfeng,Zhang, Xiangchao,&Zhu, Heyuan.(2016).Towards intrinsic phonon transport in single-layer MoS2.ANNALEN DER PHYSIK,528(6),504-511.
MLA Peng, Bo,et al."Towards intrinsic phonon transport in single-layer MoS2".ANNALEN DER PHYSIK 528.6(2016):504-511.

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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