Semiconducting ZnSnN2 thin films for Si/ZnSnN2 p-n junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Qin, Ruifeng ; Cao, Hongtao ; Liang, Lingyan ; Xie, Yufang ; Zhuge, Fei ; Zhang, Hongliang ; Gao, Junhua ; Javaid, Kashif ; Liu, Caichi ; Sun, Weizhong |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 108期号:14 |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 公开日期 | 2016-09-18 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13030]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_2016专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Qin, Ruifeng,Cao, Hongtao,Liang, Lingyan,et al. Semiconducting ZnSnN2 thin films for Si/ZnSnN2 p-n junctions[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2016,108(14). |
| APA | Qin, Ruifeng.,Cao, Hongtao.,Liang, Lingyan.,Xie, Yufang.,Zhuge, Fei.,...&Sun, Weizhong.(2016).Semiconducting ZnSnN2 thin films for Si/ZnSnN2 p-n junctions.APPLIED PHYSICS LETTERS,108(14). |
| MLA | Qin, Ruifeng,et al."Semiconducting ZnSnN2 thin films for Si/ZnSnN2 p-n junctions".APPLIED PHYSICS LETTERS 108.14(2016). |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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