Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates
文献类型:期刊论文
作者 | Lei T(雷涛); Liu C(刘晨)![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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出版日期 | 2016 |
卷号 | 119期号:1 |
语种 | 英语 |
WOS记录号 | WOS:000367902600043 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/247916] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lei T,Liu C,Zhao JL,et al. Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2016,119(1). |
APA | 雷涛.,刘晨.,赵佳丽.,李金梅.,王嘉欧.,...&Ibrahim, K.(2016).Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,119(1). |
MLA | 雷涛,et al."Electronic structure of antimonene grown on Sb2Te3 (111) and Bi2Te3 substrates".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119.1(2016). |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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