End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 艾万君; 熊胜明 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 38期号:11页码:1107001-1-6 |
| 通讯作者 | 艾万君 |
| 中文摘要 | 利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜，离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪（V-VASE）、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜（SEM）、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收（1064 nm）。实验结果表明，薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高，吸收损耗小，薄膜均为单斜晶相。不同离子源辅助沉积条件下，利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好，其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小。与End-Hall离子源相比，APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6594]  |
| 专题 | 光电技术研究所_薄膜光学技术研究室（十一室） |
| 作者单位 | 中国科学院光电技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾万君,熊胜明. End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性[J]. 中国激光,2011,38(11):1107001-1-6. |
| APA | 艾万君,&熊胜明.(2011).End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性.中国激光,38(11),1107001-1-6. |
| MLA | 艾万君,et al."End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性".中国激光 38.11(2011):1107001-1-6. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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