单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 艾万君; 熊胜明 |
| 刊名 | 光电工程
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 39期号:2页码:134-140 |
| 关键词 | 电子束蒸发 离子束辅助沉积 离子束反应溅射 HfO2薄膜 薄膜特性 |
| 通讯作者 | 艾万君 |
| 中文摘要 | 利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30～5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4～234.0nm。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6598]  |
| 专题 | 光电技术研究所_薄膜光学技术研究室（十一室） |
| 作者单位 | 1.中国科学院光电技术研究所 2.中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾万君,熊胜明. 单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究[J]. 光电工程,2012,39(2):134-140. |
| APA | 艾万君,&熊胜明.(2012).单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究.光电工程,39(2),134-140. |
| MLA | 艾万君,et al."单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究".光电工程 39.2(2012):134-140. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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