NAND;Flash图像记录系统底层写入控制技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐永刚; 任国强; 吴钦章; 孙健 |
| 刊名 | 光电工程
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 39期号:9页码:138-144 |
| 关键词 | 交叉写入 流水线 NAND flash控制器 FPGA |
| 通讯作者 | 徐永刚 |
| 中文摘要 | 为提高图像记录系统中NAND;flash阵列的存储带宽,分别研究和实现了NAND;flash的片内交叉写入、片内并行写入和片内交叉并行写入控制技术,在此基础上提出了片内交叉写入和片外2级流水线结合的写入方法,该方法利用两组NAND;flash片内交叉写入的命令地址和数据加载时间来填补烧写时间。最后用硬件方式在FPGA中分别实现了上述各种写入控制方式的控制器。实验结果表明:本文实现的片内并行写入和片内交叉并行写入是普通写入方式速度的1.48903倍和3.27706倍,而本文提出的写入控制方法的写入速度是普通写入方式的3.96038倍,高于片外4级流水线的性能情况下,将FPGA管脚资源占用节省20... |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/4393]  |
| 专题 | 光电技术研究所_光电探测技术研究室（三室） |
| 作者单位 | 1.中国科学院光电技术研究所 2.中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐永刚,任国强,吴钦章,等. NAND;Flash图像记录系统底层写入控制技术[J]. 光电工程,2012,39(9):138-144. |
| APA | 徐永刚,任国强,吴钦章,&孙健.(2012).NAND;Flash图像记录系统底层写入控制技术.光电工程,39(9),138-144. |
| MLA | 徐永刚,et al."NAND;Flash图像记录系统底层写入控制技术".光电工程 39.9(2012):138-144. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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