SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 聂瑞杰; 徐智勇; 张启衡; 王华闯; 程华 |
| 刊名 | 光学精密工程
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 20期号:8页码:1661-1668 |
| 关键词 | 硅光电倍增管(SiPM) 微等离子体 电子行为模型 三维测深仪 前置放大电路 最优设计 |
| 通讯作者 | 聂瑞杰 |
| 中文摘要 | 从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波特性,设计了高速、高带宽的前置放大器,并对前置放大器进行了交流分析和瞬态分析。结果表明,该前置放大电路在带宽内具有很高的增益平坦度,相位裕度大于60°,基本保证了信号的完整性,同时保持了激光脉冲的波形。分析和测试结果表明,该探测器和电路设计方案完全能够满足水下三维测深的需要。 |
| 收录类别 | Ei |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/5056]  |
| 专题 | 光电技术研究所_光电探测与信号处理研究室（五室） |
| 作者单位 | 1.中国科学院光电技术研究所 2.中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 聂瑞杰,徐智勇,张启衡,等. SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化[J]. 光学精密工程,2012,20(8):1661-1668. |
| APA | 聂瑞杰,徐智勇,张启衡,王华闯,&程华.(2012).SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化.光学精密工程,20(8),1661-1668. |
| MLA | 聂瑞杰,et al."SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化".光学精密工程 20.8(2012):1661-1668. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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