基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯志辉; 岳永坚; 刘恩海; 周武林 |
| 刊名 | 激光与红外
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 39期号:5页码:489-492 |
| 通讯作者 | 冯志辉 |
| 中文摘要 | 总结了一种基于射频MOSFET管的高速大电流窄脉宽半导体激光驱动源设计方法,运用PSpice对整个驱动电路进行了仿真,最后利用DE150-201N09A MOSFET管制作了面积为12cm2的电路板,测试结果表明半导体激光器输出电流脉宽10ns左 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/5092]  |
| 专题 | 光电技术研究所_光电探测与信号处理研究室（五室） |
| 作者单位 | 中国科学院光电技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯志辉,岳永坚,刘恩海,等. 基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源[J]. 激光与红外,2009,39(5):489-492. |
| APA | 冯志辉,岳永坚,刘恩海,&周武林.(2009).基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源.激光与红外,39(5),489-492. |
| MLA | 冯志辉,et al."基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源".激光与红外 39.5(2009):489-492. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。