基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈科帆; 姚军; 高福华; 汪为民; 倪祖高 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 48期号:4页码:242-247 |
| 通讯作者 | 陈科帆 |
| 中文摘要 | 设计并制造了一种基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜,此变形镜采用了三个多晶硅结构层和一个金属反射层的设计。利用表面硅工艺完成了变形镜的加工,结合有限元分析软件和白光干涉仪对三种不同驱动器电极空间分布方式的静电排斥型变形镜进行了分析和研究。测试结果表明,静电排斥型变形镜在200V下能实现1.7μm以上的位移,冲程较传统静电吸引型变形镜有显著提高。在相同电压下,第三层多晶硅作为边缘电极时的变形镜获得的位移最大,在210V下达到2.42μm。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6772]  |
| 专题 | 光电技术研究所_微细加工光学技术国家重点实验室（开放室） |
| 作者单位 | 中国科学院光电技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈科帆,姚军,高福华,等. 基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜[J]. 微纳电子技术,2011,48(4):242-247. |
| APA | 陈科帆,姚军,高福华,汪为民,&倪祖高.(2011).基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜.微纳电子技术,48(4),242-247. |
| MLA | 陈科帆,et al."基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜".微纳电子技术 48.4(2011):242-247. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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