MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汪为民,王强,邱传凯等 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 36期号:6页码:925-929+935 |
| 关键词 | MEMS 静电驱动器 场致电子发射 场增强因子 名义发射面积 可靠性 |
| 通讯作者 | 汪为民 |
| 中文摘要 | 为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应。根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子。由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6915]  |
| 专题 | 光电技术研究所_微细加工光学技术国家重点实验室（开放室） |
| 作者单位 | 1.中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 2.电子科技大学光电信息学院 3.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪为民,王强,邱传凯等. MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究[J]. 半导体光电,2015,36(6):925-929+935. |
| APA | 汪为民,王强,邱传凯等.(2015).MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究.半导体光电,36(6),925-929+935. |
| MLA | 汪为民,王强,邱传凯等."MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究".半导体光电 36.6(2015):925-929+935. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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