双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张杨; 李秀龙; 徐清兰; 张蓉竹 |
| 刊名 | 光学技术
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 期号 | 5页码:408-412 |
| 关键词 | 平面研磨 去除函数 抛光盘摆幅 偏心距 去除量 |
| 通讯作者 | 张杨 |
| 中文摘要 | 为了了解在抛光过程中抛光盘位置对光学元件面形的影响,对一种双轴式平面研磨抛光运动过程进行了分析。从Preston方程出发,推导了去除函数的表达式,研究了抛光盘的摆幅及偏心距离对元件的去除量分布的影响。通过定量计算得知,在加工转速不变的情况下,增大抛光盘的摆幅,元件不同圆周上的去除量也不同。增大偏心距,元件的去除量增大,不论抛光盘相对元件的位置如何改变,回转中心的去除量总是最大。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7015]  |
| 专题 | 光电技术研究所_先光中心 |
| 作者单位 | 1.四川大学电子信息学院 2.中国科学院光电技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张杨,李秀龙,徐清兰,等. 双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究[J]. 光学技术,2013(5):408-412. |
| APA | 张杨,李秀龙,徐清兰,&张蓉竹.(2013).双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究.光学技术(5),408-412. |
| MLA | 张杨,et al."双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究".光学技术 .5(2013):408-412. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。