AlGaInP-LED发光阵列热场分析及散热设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李贺; 梁静秋 ; 梁中翥; 王维彪; 田超; 秦余欣; 吕金光
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2015-10-15 |
| 期号 | 10页码:1212-1219 |
| 关键词 | 光学器件 热学特性 有限元分析 LED微阵列 散热器 |
| 中文摘要 | 建立了5×5 Al Ga In P材料LED微阵列的有限元热分析模型,根据计算对模型进行了简化。结果表明,简化模型与原始模型的温度分布规律基本一致,计算得到的两种模型在工作1.5 s时的温度相对误差为0.8%。使用简化模型模拟了含104个单元、尺寸为10 mm×10 mm×100μm的芯片的温度场分布,工作1.5 s时的芯片中心温度已达到360.6℃。为解决其散热问题,设计了两种散热器,并对其结构进行了优化,分析了翅片数量、翅片尺寸、粘结材料对芯片温度的影响。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53360]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李贺,梁静秋,梁中翥,等. AlGaInP-LED发光阵列热场分析及散热设计[J]. 发光学报,2015(10):1212-1219. |
| APA | 李贺.,梁静秋.,梁中翥.,王维彪.,田超.,...&吕金光.(2015).AlGaInP-LED发光阵列热场分析及散热设计.发光学报(10),1212-1219. |
| MLA | 李贺,et al."AlGaInP-LED发光阵列热场分析及散热设计".发光学报 .10(2015):1212-1219. |
入库方式： OAI收割
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