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GaSe晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响

文献类型:期刊论文

作者姜可; 谢冀江; 杨贵龙; 谢京江; 李殿军; 陈飞
刊名发光学报
出版日期2015-03-15
期号03页码:361-365
关键词GaSe晶体 双光子吸收 太赫兹 吸收截面
中文摘要根据光整流效应,利用超快激光脉冲泵浦GaSe晶体实现了0.2~2.5 THz的宽带太赫兹辐射输出。禁带中的电子在两个800 nm光子的作用下激发到导带中形成自由载流子,进而吸收所产生的太赫兹辐射,最终导致太赫兹的输出随泵浦功率的增加而趋于饱和。为了研究双光子吸收对太赫兹输出的影响,测量了800nm处的GaSe晶体的双光子吸收系数,结果为0.165 cm/GW。通过对太赫兹输出实验数据的拟合,得到GaSe晶体中自由载流子对太赫兹输出的吸收截面为1×10-15cm2。本文的研究结果可用于优化GaSe晶体在强激光泵浦下的太赫兹转换效率。
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53372]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
姜可,谢冀江,杨贵龙,等. GaSe晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响[J]. 发光学报,2015(03):361-365.
APA 姜可,谢冀江,杨贵龙,谢京江,李殿军,&陈飞.(2015).GaSe晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响.发光学报(03),361-365.
MLA 姜可,et al."GaSe晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响".发光学报 .03(2015):361-365.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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