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InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析

文献类型:期刊论文

作者张航; 刘栋斌; 李帅; 孙振亚; 王文全
刊名传感技术学报
出版日期2015-01-15
期号01页码:19-22
关键词InGaAs探测器 损伤机理 总剂量辐射 暗电流 响应度
中文摘要针对Xenics公司的一款In Ga As探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2krad(Si),技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad(Si)以上。因此对其进行总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验[1-2]。对比辐照前后探测器的参数变化,发现随着总剂量的增加,探测器的暗电流有所增大,响应度有所降低,整体性能略有下降,但满足指标要求。分析γ辐射对探测器影响的内在机理,为后续In Ga As探测器抗总剂量辐射加固提供依据和参考。
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53374]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张航,刘栋斌,李帅,等. InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析[J]. 传感技术学报,2015(01):19-22.
APA 张航,刘栋斌,李帅,孙振亚,&王文全.(2015).InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析.传感技术学报(01),19-22.
MLA 张航,et al."InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析".传感技术学报 .01(2015):19-22.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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