InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析
文献类型:期刊论文
作者 | 张航![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 传感技术学报
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出版日期 | 2015-01-15 |
期号 | 01页码:19-22 |
关键词 | InGaAs探测器 损伤机理 总剂量辐射 暗电流 响应度 |
中文摘要 | 针对Xenics公司的一款In Ga As探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2krad(Si),技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad(Si)以上。因此对其进行总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验[1-2]。对比辐照前后探测器的参数变化,发现随着总剂量的增加,探测器的暗电流有所增大,响应度有所降低,整体性能略有下降,但满足指标要求。分析γ辐射对探测器影响的内在机理,为后续In Ga As探测器抗总剂量辐射加固提供依据和参考。 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53374] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张航,刘栋斌,李帅,等. InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析[J]. 传感技术学报,2015(01):19-22. |
APA | 张航,刘栋斌,李帅,孙振亚,&王文全.(2015).InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析.传感技术学报(01),19-22. |
MLA | 张航,et al."InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析".传感技术学报 .01(2015):19-22. |
入库方式: OAI收割
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