氟化钇电子注入层对OLED器件性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张镭; 郑宣明; 林杰 ; 刘星元
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2015-08-15 |
| 期号 | 08页码:912-916 |
| 关键词 | 有机电致发光器件 氟化钇 电子注入层 |
| 中文摘要 | 利用氟化钇(YF3)代替Li F作为电子注入层材料,以金属铝作为阴极,制备了有机电致发光器件(OLED)。实验结果表明:适当厚度的YF3电子注入缓冲层可以增强阴极的电子注入能力,使得电子和空穴的浓度更加平衡,有效地提高器件的电致发光性能。其中,1.2 nm厚YF3的器件具有最小的起亮电压2.6 V,最高的电流效率8.52 cd·A-1,最大的亮度36 530 cd·m-2。最大亮度和电流效率与Li F参考样品相比,分别提高了39%和53%。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53570]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张镭,郑宣明,林杰,等. 氟化钇电子注入层对OLED器件性能的影响[J]. 发光学报,2015(08):912-916. |
| APA | 张镭,郑宣明,林杰,&刘星元.(2015).氟化钇电子注入层对OLED器件性能的影响.发光学报(08),912-916. |
| MLA | 张镭,et al."氟化钇电子注入层对OLED器件性能的影响".发光学报 .08(2015):912-916. |
入库方式： OAI收割
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