硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 焦庆斌 |
| 刊名 | 长春工业大学学报
 |
| 出版日期 | 2015-08-15 |
| 期号 | 04页码:390-394 |
| 关键词 | 硅中阶梯光栅 湿法刻蚀 衍射效率 |
| 中文摘要 | 建立了单晶硅中阶梯光栅湿法刻蚀全工艺过程,并对该工艺所涉及的光刻胶掩模制备、氧化层掩膜制备以及单晶硅湿法刻蚀等环节进行了研究。利用该工艺制作了口径为20mm×20mm的中阶梯光栅,其在入射波长532nm,Littrow方式入射时,-42级衍射效率大于70%。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53648]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦庆斌. 硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术[J]. 长春工业大学学报,2015(04):390-394. |
| APA | 焦庆斌.(2015).硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术.长春工业大学学报(04),390-394. |
| MLA | 焦庆斌."硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术".长春工业大学学报 .04(2015):390-394. |
入库方式： OAI收割
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