痕量氢气法监测硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王军 |
| 刊名 | 长春工业大学学报
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| 出版日期 | 2015-10-15 |
| 期号 | 05页码:496-502 |
| 关键词 | 截止点监测 痕量氢气 湿法刻蚀 中阶梯光栅 |
| 中文摘要 | 单晶硅中阶梯光栅闪耀角、非闪耀角以及顶角平台等参数对于其在光谱仪行业的应用十分重要。所以,为获得高精度中阶梯光栅槽形,对单晶硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点时刻进行控制显得尤为重要。基于气相色谱-原子吸收光谱法对单晶硅与KOH刻蚀液反应过程中生成的痕量氢气进行在线监测,通过获得氢质量数监测曲线拐点确定单晶硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点时刻。通过对反应温度和刻蚀液浓度分别从60~90℃、10%~40%范围内的调节,共进行了7组实验。根据实验结果可以得到,在氢质量数监测曲线出现拐点±5s范围内随机时刻停止刻蚀过程,所获得光栅槽形参数与理论设计光栅槽形参数进行比较,误差均<0.5%。上述实验结果表明,通过上面所提出的刻蚀截止点控制方法能够获得参数误差<0.5%的中阶梯光栅槽形,从而达到获得高精度光栅槽形的目的。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53665]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王军. 痕量氢气法监测硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点[J]. 长春工业大学学报,2015(05):496-502. |
| APA | 王军.(2015).痕量氢气法监测硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点.长春工业大学学报(05),496-502. |
| MLA | 王军."痕量氢气法监测硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点".长春工业大学学报 .05(2015):496-502. |
入库方式： OAI收割
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