两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩智明; 缪国庆 ; 曾玉刚; 张志伟
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2015-03-15 |
| 期号 | 03页码:288-292 |
| 关键词 | 两步生长法 GaAs InGaAs MOCVD |
| 中文摘要 | 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在Ga As(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响;利用X射线衍射(XRD)分析了缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响;利用拉曼光谱分析了缓冲层厚度对外延层材料合金有序度的影响;通过透射电子显微镜(TEM)观察了外延层材料位错的分布状态,计算了外延层的位错密度。实验结果表明,两步生长法生长的InxGa1-xAs/Ga As异质结材料的缓冲层厚度存在一个最优值。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54004]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩智明,缪国庆,曾玉刚,等. 两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质[J]. 发光学报,2015(03):288-292. |
| APA | 韩智明,缪国庆,曾玉刚,&张志伟.(2015).两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质.发光学报(03),288-292. |
| MLA | 韩智明,et al."两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质".发光学报 .03(2015):288-292. |
入库方式： OAI收割
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