透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李秀山; 宁永强 ; 张星; 贾鹏; 秦莉; 刘云; 王立军
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2015-08-15 |
| 期号 | 08页码:930-934 |
| 关键词 | 垂直腔面发射半导体激光器 透明导电薄膜 浅面浮雕 单模 |
| 中文摘要 | 对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL。该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制。研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响。研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54117]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李秀山,宁永强,张星,等. 透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响[J]. 发光学报,2015(08):930-934. |
| APA | 李秀山.,宁永强.,张星.,贾鹏.,秦莉.,...&王立军.(2015).透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响.发光学报(08),930-934. |
| MLA | 李秀山,et al."透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响".发光学报 .08(2015):930-934. |
入库方式： OAI收割
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