小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 焦庆斌 |
| 刊名 | 长春工业大学学报
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| 出版日期 | 2015-06-15 |
| 期号 | 03页码:288-292 |
| 关键词 | 紫外曝光 倒置热熔 硅中阶梯光栅 湿法刻蚀 |
| 中文摘要 | 为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响,提出了紫外曝光-倒置热熔结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模,对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶掩模制备等环节进行了研究。AFM测试结果表明,可以制备占宽比为1∶5的光刻胶掩模,远远超出光栅理论设计中对顶角平台尺寸的要求。 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54151]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦庆斌. 小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究[J]. 长春工业大学学报,2015(03):288-292. |
| APA | 焦庆斌.(2015).小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究.长春工业大学学报(03),288-292. |
| MLA | 焦庆斌."小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究".长春工业大学学报 .03(2015):288-292. |
入库方式： OAI收割
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