Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李璇; 麻尉蔚; 马凤凯; 狄聚青; 郑丽和; 姜大鹏; 苏良碧; 杨秋红; 徐军 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 43期号:6页码:1327 |
| 关键词 | 激光晶体 提拉法 分凝系数 发射光谱 |
| 其他题名 | Growth and Spectral Properties of Sc2SiO5 Laser Crystal Doped with Ho~(3+) |
| 中文摘要 | 采用提拉法分别生长了具有高光学质量管理中心_期刊论文的0. 5at%和1.0at%的Ho∶ Sc_2SiO_5( Ho∶ SSO)激光晶体。研究表明晶体空间群为C_2/c,晶胞参数为a=0. 99723 nm,b=0. 64261 nm,c=1.16843 nm,beta=103. 9°。Ho~(3+)在SSO基质中的分凝系数为0. 82。Ho∶ SSO晶体在2085 nm处发射截面为1.12*10~(-20) cm~2,发射光谱呈现一个1850~2150 nm的宽发射带。当粒子数反转比率beta=0.25时,增益截面sigmag即开始出现正增益。综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶ SSO晶体是一种有潜力的2mum波段激光介质。 |
| 英文摘要 | Sc_2SiO_5 ∶ 0. 5at% Ho ( Ho ∶ SSO) and Sc_2SiO_5 ∶ 1. 0at% Ho bulk crystals were obtained by Czochralski method. The results indicate that the space group of Ho ∶ SSO crystal is C_2/c. The cell parameters were calculated to be a = 0. 99723 nm,b = 0. 64261 nm,c = 1. 16843 nm and beta = 103. 9°. The segregation coefficient of Ho~(3+) in SSO host were calculated to be 0. 82. The emission cross section in 2085 nm is 1. 12 * 10~(-20)cm~2 . The broad emission spectrum is extended from 1850 nm to 2150 nm. When the inversion ratio equals to 0. 25,the gain cross-section appeared to be positive. Laser properties were evaluated and all these data indicated that Ho∶ SSO is promising for 2 mum laser operation. |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5187615 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/12541]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_中科院强激光材料重点实验室 |
| 作者单位 | 1.李璇, 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200444, 中国. 2.杨秋红, 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200444, 中国. 3.麻尉蔚, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 4.马凤凯, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 5.郑丽和, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 6.姜大鹏, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201899, 中国. 7.苏良碧, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李璇,麻尉蔚,马凤凯,等. Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究[J]. 人工晶体学报,2014,43(6):1327. |
| APA | 李璇.,麻尉蔚.,马凤凯.,狄聚青.,郑丽和.,...&徐军.(2014).Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究.人工晶体学报,43(6),1327. |
| MLA | 李璇,et al."Ho~(3+) 掺杂Sc_2SiO_5激光晶体生长与光谱性能研究".人工晶体学报 43.6(2014):1327. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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