射频功率对类金刚石薄膜性能的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 陈林林; 张殷华; 黄伟 |
| 出版日期 | 2012 |
| 会议名称 | 第十届全国光电技术学术交流会论文集 |
| 会议日期 | 2012 |
| 关键词 | 射频等离子体化学气相沉积 类金刚石薄膜 射频功率 Raman光谱 |
| 卷号 | 1 |
| 通讯作者 | 陈林林 |
| 中文摘要 | 利用射频等离子体化学气相沉积技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜,利用红外透射光谱、椭圆偏振仪、Raman光谱等测试手段,研究在不同的射频功率条件下制备的类金刚石薄膜性质的变化。实验表明:随着功率的增加,薄膜中的SP3含量逐渐减少,薄膜的折射率在660-860W逐渐降低,在860-910W范围内逐渐增加,在910-960W范围内逐渐减小。薄膜的硬度随着功率的增加先增加后减小。最佳沉积功率为860W。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7852]  |
| 专题 | 光电技术研究所_薄膜光学技术研究室（十一室） |
| 作者单位 | 1.中国科学院光电技术研究所 2.中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈林林,张殷华,黄伟. 射频功率对类金刚石薄膜性能的影响[C]. 见:第十届全国光电技术学术交流会论文集. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：光电技术研究所
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