p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨铁莹; 赵俊; 李晓龙; 高兴宇; 薛超凡; 吴衍青; 邰仁忠 |
| 发表日期 | 2014-08-18 |
| 专利国别 | 中华人民共和国 |
| 专利号 | CN104178730 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150-300℃，溅射功率为50-150W，工作气体为Ar气，气压为0.5-2.0Pa，气体流量为50-100sccm，相比现有先室温沉积再退火的技术，本制备方法简单易行，适合大规模生产，通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数，大大减少了薄膜内部缺陷，提高了空穴迁移率，大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率，再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材，通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管，可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能，由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点，可用作透明电子器件的基本元件。 |
| 分类号 | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/329 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201410406410 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/25407]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 作者单位 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨铁莹,赵俊,李晓龙,等. p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法. CN104178730. 2014-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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