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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究

文献类型:学位论文

学位类别博士
答辩日期2016-11
授予单位中国科学院半导体研究所
授予地点北京
导师孙国胜
学位专业微电子学与固体电子学
公开日期2016-12-05
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27662]  
专题半导体研究所_半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
. 低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2016.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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