4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 田丽欣 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2016-11 |
| 授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 孙国胜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 公开日期 | 2016-12-05 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27665]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田丽欣. 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2016. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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